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重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线

时间：2025-03-04来源：重庆青山作者：

导语：近日，重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

　　近日，重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

　　SiC功率芯片是一种基于碳化硅(SiC)材料制成的功率半导体芯片，属于第三代半导体技术，相比传统硅基功率芯片，具有高耐压、低损耗、高频高效等特性，主要应用于新能源汽车的电驱电控系统，是新能源技术升级的关键方向。

　　此次双方联合研发的SiC功率芯片，在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上;阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。

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