当前位置：首页 > 新闻频道 > 企业动态 > 重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线

重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线

时间：2025-03-04来源：重庆青山

导语：近日，重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

　　近日，重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

　　SiC功率芯片是一种基于碳化硅(SiC)材料制成的功率半导体芯片，属于第三代半导体技术，相比传统硅基功率芯片，具有高耐压、低损耗、高频高效等特性，主要应用于新能源汽车的电驱电控系统，是新能源技术升级的关键方向。

　　此次双方联合研发的SiC功率芯片，在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。器件耐压性能突出，击穿电压最高可达1700V以上;阈值电压一致性表现优异，通过率达到98%，实测值分布集中，具有较强的抗干扰能力，在大批量使用时更易于配对，从而节约成本。

标签：重庆青山重庆大学

分享到：

上一篇：大匠激光荣膺双项重磅荣誉

下一篇：威力传动再次荣膺银川市民营经济高质量发展大会“双优”称号

免责声明:凡注明(来源：齿轮头条网)的所有文字、图片、音视和视频文件，版权均为齿轮头条网(www.geartoutiao.com)独家所有，如需转载请与本网联系。任何机构或个人转载使用时须注明来源“齿轮头条网”，违反者本网将追究其法律责任。本网转载并注明其他来源的稿件，均来自互联网或业内投稿人士，版权属于原版权人。转载请保留稿件来源及作者，禁止擅自篡改，违者自负版权法律责任。

技术频道

重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线