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2025-03-04 发布
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    重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线

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重庆青山与重庆大学联合研发SiC芯片流片成功下线

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  近日,重庆青山与重庆大学联合研发的SiC功率芯片首轮流片成功下线。

  SiC功率芯片是一种基于碳化硅(SiC)材料制成的功率半导体芯片,属于第三代半导体技术,相比传统硅基功率芯片,具有高耐压、低损耗、高频高效等特性,主要应用于新能源汽车的电驱电控系统,是新能源技术升级的关键方向。

  此次双方联合研发的SiC功率芯片,在耐压和阈值电压等关键参数上均表现出优秀的性能。器件耐压性能突出,击穿电压最高可达1700V以上;阈值电压一致性表现优异,通过率达到98%,实测值分布集中,具有较强的抗干扰能力,在大批量使用时更易于配对,从而节约成本。